Установки разварки проволочных перемычек

3 товара
Установка разварки толстой алюминиевой проволокой ASM Hercules
Установка разварки толстой алюминиевой проволокой ASM Hercules

Назначение: Установка предназначена для разварки полупроводниковых кристаллов толстой алюминиевой проволокой, в производстве мощных полупроводниковых дискретных компонентов и модулей. Особенности и преимущества Установка имеет две сварочные головы, работающие независимо друг от друга. Это позволяет производить разварку проволоками разного диаметра и обеспечивает высокую производительность в случае использования проволоки одного диаметра на обеих головах. Опционально доступны: Технические характеристики […]

Установка разварки тонкой проволокой ASM iHawk AERO
Установка разварки тонкой проволокой ASM iHawk AERO

Особенности и преимущества Технические характеристики Сварочный процесс Метод сварки Термозвук Диаметр проволоки 0,5-2,0 mil (12,7-50,8 мкм) Длина перемычки 0,2-8,0 мм Скорость сварки 24 перемычки/сек, при длине 2мм Точность сварки 3 мкм @3σ Рабочая область 56 х 90 мм (подходит для рамок шириной ≤100 мм) Точность распознавания изображения 0.25 мкм Задание профиля перемычки Полностью автоматическое Число сохраняемых программ До 30 […]

Установка разварки тонкой проволокой ASM AB589
Установка разварки тонкой проволокой ASM AB589

Назначение: Установка предназначена для разварки полупроводниковых кристаллов тонкой алюминиевой проволокой на печатных платах и других подложках (технология Chip-on-Board). Может применяться для производства изделий в металлокерамических корпусах.  Особенности и преимущества Опционально доступны: Технические характеристики Сварочный процесс Перемещение по оси Z Макс. 15 мм Вращение по углу ϴ Макс. 190° Диаметр Al проволоки 0,7-2,0 mil (17,8-50,8 мкм) […]

Микросварка полупроводниковых кристаллов

Термином «разварка» (Wire Bonding) или микросварка в микроэлектронике обозначается процесс создания электрических соединений между контактными площадками полупроводниковых кристаллов и их подложек. Как правило для этого используются тонкопроволочные соединения из Al (алюминий), Au (золото) или Cu (медь). В отличие от пайки, при микросварке отсутствует загрязнение контактов побочными продуктами соединительного воздействия. Микросварка контактов может быть осуществлена с помощью различных методов. Наиболее традиционным методом разварки является термокомпрессия, построенная на основе пластичной деформации соединяемых элементов под воздействием температуры и давления, в результате которой происходит их диффузия. Другой метод разварки – это микросварка плавлением с использованием лазерного (электронно-лучевого) или электродного (механического) воздействия. Одной из наиболее перспективных методик разварки считается ультразвуковая микросварка, в ходе которой соединение материалов происходит при воздействии на свариваемые поверхности высокочастотных механических колебаний. Также возможно применение комбинации ультразвуковой и термокомпрессионной микросварки. Качество разварки зависит от множества факторов, так немаловажным является чистота материала проволоки, а также её диаметр, который должен быть как минимум вдвое меньше диаметра контакта. Необходимо также учитывать форму контактных соединений, которые имеют либо шарообразную, либо клиновидную конфигурацию. Для производства современных микромодулей важно, чтобы установка разварки, помимо обычных соединений «шарик-клин» и «клин-клин», была способна производить микросварку хотя бы одним из двух методов: «шарик-клин-шарик» (Bond Ball on Stitch — BBOS) или «обратная петля» (Reverse Bonding или Ball Stitch on Ball — BSOB). Последний метод микросварки (обратная петля) оценивается как очень перспективный, т.к. он существенно повышает прочность соединения второй точки сварки при многоуровневой микросборке. Несмотря на определённые технологические ограничения, тонкопроволочная разварка, благодаря своей надёжности и прочности, используется и при 2,5D и 3D корпусировании, к которым сейчас стремится мировая микроэлектроника. В нашем каталоге представлены установки разварки тонкой проволокой, которые обеспечивают высокоточное микросоединение контактных площадок полупроводниковых кристаллов и выводов корпуса золотой, медной и алюминиевой проволокой.