Установки осаждения (PVD, CVD)

3 товара
Установка осаждения SINO Plasma 2000 / 6000 PECVD
Установка осаждения SINO Plasma 2000 / 6000 PECVD

Применение: Системы плазмохимического газофазного осаждения с одновременной обработкой нескольких пластин – до 6 шт. Предназначены для серийных производств. Основные технические характеристики Стандартная конфигурация SINO Plasma 2000 PECVD SINO Plasma 6000 PECVD Тип камеры Загрузка нескольких пластин Процессы PECVD Количество модулей Процессный модуль — 1Охлаждение — 1 Процессный модуль — до 2Охлаждение — 1 Реакционный источник […]

Установка осаждения SINO Plasma 2000 / 8000 PECVDS
Установка осаждения SINOPlasma 2000 / 8000 PECVDS

Применение: Системы плазмохимического газофазного осаждения кластерного типа с одновременной обработкой 1 пластины. Доступны процессы cубатмосферного осаждения (SA). Предназначены для серийных производств. Основные технические характеристики Стандартная конфигурация SINO Plasma 2000 PECVDS SINO Plasma 8000 PECVDS Тип камеры Загрузка 1 пластины Процессы PECVD, SACVD Количество модулей Процессный модуль — 1Охлаждение — 1 Реакционный источник Силан / TEOS […]

Установка осаждения Sino-Plasma 200 PECVDS
Установка осаждения SINO Plasma 200 PECVDS

Применение: Научно-исследовательские работы и небольшое серийное производство. Основные технические характеристики Стандартная конфигурация SINO Plasma 200 PECVDS Реакционный источник Силан / TEOS Тип камеры Загрузка 1 пластины Процессы PECVD, SACVD Диаметр пластин 2”, 3”, 4”, 5”, 6”, 8” Платформа Ручная загрузка Генератор плазмы 13,56 МГц, 2000 Вт или 350 кГц, 900 Вт Нагрев пластины Макс. температура […]

Установки для осаждения тонких плёнок

Осаждение тонких плёнок – это технологический процесс, используемый в полупроводниковом производстве, который заключается в нанесении тонкого слоя материала на поверхность объекта путем испарения или распыления вакуумированного ионизированного газа, при этом толщина наносимого слоя может составлять от нескольких нанометров до нескольких десятков микрометров. Существует две основных технологии нанесения тонкоплёночных покрытий:

  1. PVD (Physical vapor deposition) — физическое осаждение из паровой фазы, которое включает в себя различные методы вакуумного осаждения, которые могут быть использованы для получения тонких пленок и покрытий на подложках, включая металлы, керамику, стекло и полимеры. PVD характеризуется процессом, при котором материал переходит из конденсированной фазы в парообразную, а затем обратно в тонкопленочную конденсированную фазу. Наиболее распространенными процессами PVD являются распыление и испарение. PVD используется при производстве изделий, для которых требуются тонкие пленки для оптических, механических, электрических, акустических или химических функций. Примерами могут служить полупроводниковые устройства, такие как тонкопленочные солнечные элементы, микроэлектромеханические системы (МЭМС), такие как тонкопленочный объемный акустический резонатор и т.д.
  2. CVD (Chemical vapor deposition) – химическое осаждение из паровой фазы, при котором подложка подвергается воздействию одного или нескольких летучих прекурсоров, вступающих в реакцию разложения на поверхности подложки с образованием желаемого осадка. Часто при этом также образуются летучие побочные продукты, которые удаляются потоком газа через реакционную камеру. CVD широко используется в процессах микропроизводства для осаждения материалов в различных формах, включая монокристаллические, поликристаллические, аморфные и эпитаксиальные. К таким материалам относятся: кремний (диоксид, карбид, нитрид, оксинитрид), углерод (волокно, нановолокна, нанотрубки, алмаз и графен), фторуглероды, нити накала, вольфрам, нитрид титана и различные диэлектрики.

В нашем каталоге представлены установки плазмохимического газофазного осаждения (PECVD) серии Sino-Plasma PECVD, которая включает в себя несколько моделей, предназначенных как для лабораторных применений, так и для крупносерийных производств. Установки кластерного типа на базе четырёх- шести- и восьмисторонних транспортных модулей позволяют реализовать различные конфигурации рабочих модулей, в соответствии с требованиями пользователей. Возможна одновременная обработка как одной, так и нескольких пластин. Доступны различные конфигурации газовых линий и источников жидких материалов. Установки оборудованы современными системами вакуумной откачки и плазменными генераторами. Система управления включает в себя программное обеспечение собственной разработки производителя на основе операционной системы Windows, с простым и удобным интерфейсом. Основной сферой применения установок данного типа является производство интегральных микросхем, компонентов силовой электроники, МЭМС, фотоэлектронных приборов и других изделий, на подложках от 4 до 8 дюймов (100 — 200 мм) включая пластины Si, SiC, GaN, GaAs и т.д.