Установка осаждения MR SEMI 2000 / 8000 PECVDS
Описание
Документы
Применение:
Системы плазмохимического газофазного осаждения кластерного типа с одновременной обработкой 1 пластины. Доступны процессы cубатмосферного осаждения (SA). Предназначены для серийных производств.
Основные технические характеристики
| Стандартная конфигурация | MR SEMI 2000 PECVDS | MR SEMI 8000 PECVDS |
| Тип камеры | Загрузка 1 пластины | |
| Процессы | PECVD, SACVD | |
| Количество модулей | Процессный модуль — 1 Охлаждение — 1 | |
| Реакционный источник | Силан / TEOS | |
| Диаметр пластин | 4”, 6”, 8” | |
| Платформа | четырёхугольная | восьмиугольная |
| Генератор плазмы | 13,56 МГц, 2000 Вт или 350 кГц, 900 Вт | |
| Нагрев пластины | Макс. температура 400°С (550°С для SA) | |
| SMIF | Доступен | |