Атомно-слоевое осаждение (ALD)

0 товаров

Формирование ультратонких с высокой однородностью, конформностью к рельефу подложки и точным контролем толщины. Установки подходят для обработки пластин 100, 150 и 200 мм. Возможность групповой обработки, интеграции нескольких процессных модулей в кластер и установки удалённой плазмы для проведения низкотемпературных процессов ПАСО.

Атомно-слоевое осаждение (ALD) — это инновационная техника, представляющая собой истинное чудо в мире нанотехнологий. ALD впечатляет своей способностью точно и молекулярно осаждать тончайшие слои материалов на поверхности, позволяя нам исследовать и создавать материалы с уникальными свойствами.

Для понимания величины прорыва, который представляет собой ALD, представьте себе художника, рисующего картины каплями краски. ALD работает аналогичным образом, только с молекулами материалов. Этот процесс осаждения происходит в вакуумной камере, где молекулы вещества вводятся последовательно, создавая тонкий слой атомов на поверхности.

Одно из впечатляющих свойств ALD заключается в его уникальной способности контролировать толщину слоя с атомной точностью. При помощи ALD можно создавать слои толщиной всего несколько атомов, что открывает широкие перспективы для разработки новых материалов и устройств с улучшенными характеристиками.

Применение ALD находится во множестве областей, начиная от полупроводниковой индустрии и создания наноэлектронных компонентов до производства солнечных батарей, покрытий для защиты от коррозии и медицинских датчиков. С его помощью можно создавать невероятно тонкие и прочные пленки, обеспечивающие защиту от внешних воздействий и улучшенные электрические свойства.

ALD не только предоставляет возможность создавать новые материалы, но и улучшает существующие технологии. Например, применение ALD в производстве электронных компонентов позволяет создавать более эффективные и компактные чипы с более низким энергопотреблением.