Оборудование для кристального производства

Установка двухсторонней фотолитографии BHS-402  Установка предназначена для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования в производстве оптоэлектронных приборов, силовой электроники, сенсоров, гибридных интегральных схем, СВЧ устройств, МЭМС и в других применениях. Параметр Значение Максимальный размер подложки 4” (Ø 100 мм) Максимальный размер фотошаблона 5” (125 x 125 мм) Точность совмещения ± 3 мкм Разрешение 3 мкм (при позитивном фоторезисте)5 мкм (при негативном […]

Установка двусторонней фотолитографии GHS-406 Установка предназначена для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования в мелко- и среднесерийном производстве интегральных микросхем, дискретных полупроводниковых приборов, светодиодов, силовой электроники и в других применениях. Установки данной серии обеспечивают как одно- так и двустороннее совмещения для пластин 4” и 6” и экспонирование по одной стороне.  Параметр Значение Максимальный размер подложки 6” (Ø 150 мм) […]

Автоматическая установка фотолитографии GHS-408А Полностью автоматизированная установка для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования предназначена для использования в серийном производстве интегральных микросхем. Установка обеспечивает автоматическую подачу, совмещение и экспонирование по заданному алгоритму  Достоинствами модели является удобство, высокая производительность и повторяемость. Параметр Значение Размер пластин 4”, 6” Размер фотошаблона 5”, 7” Толщина пластин 0,2-1,1 мм Производительность 260 пластин/час Точность […]

Установка фотолитографии GHS-401-A Установка предназначена для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования в мелко- и среднесерийном производстве интегральных микросхем, а также в исследовательских разработках. Достоинствами модели являются простота в работе, высокая стабильность и повторяемость. Параметр Значение Максимальный размер подложки 4” (Ø 100 мм) Максимальный размер фотошаблона 5” (125 x 125 мм) Точность совмещения ± 1 мкм Разрешение 1.5 мкм (при вакуумном […]

Применение: Системы плазмохимического газофазного осаждения с одновременной обработкой нескольких пластин – до 6 шт. Предназначены для серийных производств. Основные технические характеристики Стандартная конфигурация MR SEMI 2000 PECVD MR SEMI 6000 PECVD Тип камеры Загрузка нескольких пластин Процессы PECVD Количество модулей Процессный модуль — 1Охлаждение — 1 Процессный модуль — до 2Охлаждение — 1 Реакционный источник […]

Применение: Системы плазмохимического газофазного осаждения кластерного типа с одновременной обработкой 1 пластины. Доступны процессы cубатмосферного осаждения (SA). Предназначены для серийных производств. Основные технические характеристики Стандартная конфигурация MR SEMI 2000 PECVDS MR SEMI 8000 PECVDS Тип камеры Загрузка 1 пластины Процессы PECVD, SACVD Количество модулей Процессный модуль — 1Охлаждение — 1 Реакционный источник Силан / TEOS […]

Применение: Научно-исследовательские работы и небольшое серийное производство. Основные технические характеристики Стандартная конфигурация MR SEMI 200 PECVDS Реакционный источник Силан / TEOS Тип камеры Загрузка 1 пластины Процессы PECVD, SACVD Диаметр пластин 2”, 3”, 4”, 5”, 6”, 8” Платформа Ручная загрузка Генератор плазмы 13,56 МГц, 2000 Вт или 350 кГц, 900 Вт Нагрев пластины Макс. температура […]

Особенности и преимущества Установка вакуумного напыления MR SEMI 8000/8200 PVD предназначена для серийного производства изделий микроэлектроники. Данные установки являются кластерными системами с одним или двумя транспортными модулями, к которым могут быть присоединены от одной до четырёх рабочих камер, устройства кассетной загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, камер выравнивания, плазменной очистки, дегазации и охлаждения. Рабочие модули оборудованы […]