Установка вакуумного осаждения тонких плёнок MR SEMI 8000/8200 PVD
Оставьте заявку, чтобы уточнить стоимость
Под ключ
Пуско-наладка и обучение персонала
Гибкость
Различные условия продаж и поставок под клиента
Консультация
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантия
Гарантийное и пост-гарантийное обслуживание без привлечения производителя
Особенности и преимущества
Установка вакуумного напыления MR SEMI 8000/8200 PVD предназначена для серийного производства изделий микроэлектроники. Данные установки являются кластерными системами с одним или двумя транспортными модулями, к которым могут быть присоединены от одной до четырёх рабочих камер, устройства кассетной загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, камер выравнивания, плазменной очистки, дегазации и охлаждения. Рабочие модули оборудованы высоковакуумной системой откачки и плазменными генераторами. Возможно исполнение рабочих модулей для применения в процессе осаждения ионно-металлической плазмы (IMP) и включение в состав установки модулей газохимического осаждения (CVD). Система управления включает в себя программное обеспечение собственной разработки Производителя на основе операционной системы Windows, с простым и удобным интерфейсом.
Область применения
Осаждение металлических тонких плёнок в производстве интегральных микросхем, компонентов силовой электроники и других изделий микроэлектроники, на подложках от 4 до 8 дюймов (100-200 мм).
|
Тип процесса |
Материал плёнки |
Применение |
Источники |
|
PVD |
AlCu |
Контактные слои |
AlCu мишень, Ar |
|
TiN |
Барьерные и адгезионные слои |
Ti мишень, Ar+N2 | |
|
TiW |
Барьерные слои |
TiW мишень, Ar | |
|
Ti |
Барьерные слои/ омические контакты / адгезионные слои |
Ti мишень, Ar | |
|
W |
Омические контакты |
W мишень, Ar | |
|
Co |
Co мишень, Ar | ||
|
Ni |
Ni мишень, Ar | ||
|
CVD |
TiN |
Барьерные и адгезионные слои |
TDHMAT+N2+H2, He |
|
W |
Переходные контакты |
WF6+N2+H2, Ar |
Системы магнетронного напыления с кассетной загрузкой пластин
|
Модель |
MR SEMI 8000PVD |
MR SEMI 8200 PVD |
|
Конструктивное исполнение |
С одним транспортным модулем
|
С двумя транспортными модулями
|
|
Тип камеры |
Загрузка одной пластины | |
|
Процессы |
PVD/ W-CVD/ TiN-CVD |
PVD/ TiN-CVD |
|
Количество вакуумных камер |
Макс. 6 Процессные камеры – 1 — 4 Плазменная очистка – 1 Дегазация — 1 |
Макс. 8 Процессные камеры – 1 — 4 Плазменная очистка –2 Дегазация – 2 |
|
Диаметр пластин |
4”, 6”, 8” (100 — 200мм) | |
Типовые параметры процессов
|
|
Процесс | |||
|
Параметр |
Низкотемпературное осаждение AlCu, 5KA |
Высокотемпературное осаждение AlCu, 5KA |
Осаждение Ti, 1 KA |
Осаждение Ti, N, 1 KA |
|
Энергия, Вт |
11500 |
11500 |
1800 |
6500 |
|
Расход газов, ст.куб.см |
Ar — 35 ArH — 15 |
Ar — 35 ArH — 15 |
Ar — 19
|
Ar – 30 N2 — 54 |
|
Нагрев, °С |
270±2 |
410±2 |
100 |
25 |
|
Давление, мТорр |
5 |
5 |
1,4 |
1,4 |
|
Скорость осаждения, Å/мин |
5000±250 |
5000±350 |
1600±50 |
>800 |
|
Однородность по пластине |
<3% (1σ) | |||
|
Однородность по партии |
<2% (1σ) |
<2% (1σ) |
<1,5% (1σ) |
<2% (1σ) |
Документы
