Установки контактной литографии
4 товара
Установка двухсторонней фотолитографии BHS-402 Установка предназначена для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования в производстве оптоэлектронных приборов, силовой электроники, сенсоров, гибридных интегральных схем, СВЧ устройств, МЭМС и в других применениях. Параметр Значение Максимальный размер подложки 4” (Ø 100 мм) Максимальный размер фотошаблона 5” (125 x 125 мм) Точность совмещения ± 3 мкм Разрешение 3 мкм (при позитивном фоторезисте)5 мкм (при негативном […]
Установка фотолитографии GHS-401-A Установка предназначена для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования в мелко- и среднесерийном производстве интегральных микросхем, а также в исследовательских разработках. Достоинствами модели являются простота в работе, высокая стабильность и повторяемость. Параметр Значение Максимальный размер подложки 4” (Ø 100 мм) Максимальный размер фотошаблона 5” (125 x 125 мм) Точность совмещения ± 1 мкм Разрешение 1.5 мкм (при вакуумном […]
Установка двусторонней фотолитографии GHS-406 Установка предназначена для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования в мелко- и среднесерийном производстве интегральных микросхем, дискретных полупроводниковых приборов, светодиодов, силовой электроники и в других применениях. Установки данной серии обеспечивают как одно- так и двустороннее совмещения для пластин 4” и 6” и экспонирование по одной стороне. Параметр Значение Максимальный размер подложки 6” (Ø 150 мм) […]
Автоматическая установка фотолитографии GHS-408А Полностью автоматизированная установка для фотолитографических процессов совмещения и экспонирования предназначена для использования в серийном производстве интегральных микросхем. Установка обеспечивает автоматическую подачу, совмещение и экспонирование по заданному алгоритму Достоинствами модели является удобство, высокая производительность и повторяемость. Параметр Значение Размер пластин 4”, 6” Размер фотошаблона 5”, 7” Толщина пластин 0,2-1,1 мм Производительность 260 пластин/час Точность […]
Технология контактной фотолитографии
Фотолитография или оптическая литография – это самая распространённая технология создания различных элементов интегральных микросхем (ИМС). В её основе лежит методика формирования в поверхностном чувствительном слое (фоторезисте) рельефного рисунка, повторяющего топологию микросхемы, с последующим переносом этого рисунка на основу подложки с помощью фотополимеризации и фотолиза. Литография является поэтапным процессом, включающим в себя подготовку поверхности подложки, нанесение на неё слоя фоторезиста, экспонирование с помощью УФ-излучения фотошаблона, проявление, травление и удаление фотомаски. Фотолитография подразделяется на два вида: контактная фотолитография и бесконтактная (проекционная) фотолитография. В случае применения контактной фотолитографии фотошаблон наносится непосредственно на слой фоторезиста и перенос топологической картинки осуществляется в масштабе 1:1. Основные преимущества контактной фотолитографии выражаются в простоте технологии, а также в её относительно низкой себестоимости при высокой степени воспроизводимости.
В нашем каталоге представлено оборудование для контактной фотолитографии в виде ручных и автоматических установок, предназначенных для переноса изображения с фотошаблона на образец путем экспонирования фоторезистивного слоя. Для того, чтобы добиться более равномерного экспонирования часто используется так называемый вакуумный контакт, при котором между поверхностью пластины и фотошаблоном удаляется воздух. Ручные установки контактного экспонирования больше подходят для мелкосерийного производства или исследовательской работы, в то время как полностью автоматизированные литографы применяются при производстве микросхем в промышленных масштабах. Также существуют установки двусторонней (double aligning) фотолитографии, которые используются при производстве оптоэлектронных приборов, силовой электроники, сенсоров, гибридных интегральных схем, СВЧ устройств, МЭМС компонентов и в других сферах применения.
