Установки плазменной очистки
1 товар
Установка для ПХ зачистки поверхности CRF-VPO-100L использует методику плазменной очистки. Сферы её применения: упаковка полупроводников, производство гибких печатных плат, энергетика, машиностроение, производство различных электронных устройств, медицинского оборудования и инструментов. ГАБАРИТНЫЙ ЧЕРТЁЖ ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Обрабатываемые изделия подложки, корпуса и рамки микросхем Объём реактивной камеры, л 100 Габаритные размеры установки, мм 990 х 1100 х 1708 […]
Очистка от окислов и загрязнений, активация поверхности выводных рамок, металлокерамических корпусов и других подложек необходимы перед проведением операций монтажа кристаллов, разварки проволочных перемычек и герметизации методом заливки в пластик, а также перед групповой обработкой в кассетах универсальных магазинов. Методика очистки делится на химическую, которая подразумевает использование инертных газов (таких как Ar) и физическую очистку. Плазменная очистка представляет собой одновременно как химическую, так и физическую очистку. Активные частицы, такие как электроны, ионы и свободные радикалы, существующие в плазме, легко вступают в реакцию с твердыми поверхностями. Плазма обладает высокой проводимостью и сильными эффектами связи с электромагнитными полями.