Установка для ПХ зачистки поверхности CRF-VPO-100L
Описание
Документы
Установка для ПХ зачистки поверхности CRF-VPO-100L использует методику плазменной очистки. Сферы её применения: упаковка полупроводников, производство гибких печатных плат, энергетика, машиностроение, производство различных электронных устройств, медицинского оборудования и инструментов.
ГАБАРИТНЫЙ ЧЕРТЁЖ


ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Обрабатываемые изделия | подложки, корпуса и рамки микросхем |
Объём реактивной камеры, л | 100 |
Габаритные размеры установки, мм | 990 х 1100 х 1708 |
Габаритные размеры камеры, мм | 450 х 500 х 450 |
Масса, кг | 500 |
Потребляемая мощность, кВт | 4,5 |
Рабочее напряжение, В | 380 (переменный ток 50Гц) |
Система управления | PLC+HMI (Mitsubishi) |
Генератор плазмы | CRF мощностью 0-600 Вт (полностью автоматическая система) |
Система контроля вакуума | цифровой вакуумметр Пирани |
Система газорегулирования | управление двусторонним электромагнитным клапаном |
Количество электродных слоев | 8-слойная горизонтальная электродная пластина |
Эффективная зона обработки, мм | 370 х 440 |
Газовый канал | стандартный двусторонний канал с выбором газов: сжатый воздух, кислород, аргон, азот, четырехфтористый углерод и т.д. |
Рабочий вакуум, Па | 5 — 50 |
Время вакуумной откачки, с | ≤ 60 |
Сброс вакуума, с | ≤ 15 |
Регулирование массового расхода, sccm | 0 — 300 |
Время очистки, с | 60 – 120 (настраиваемый параметр) |
Диапазон давления в реакционной камере, Па | 0,5 — 30 |
Расход сжатого воздуха, л/мин. | 1-10 |
Вакуумный насос | TVP90m³/h |
Манометр | SMC |